IRLMS1902TRPBF 価格設定（USD） [487572個在庫]
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- 品番:
- IRLMS1902TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF electronic components. IRLMS1902TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLMS1902TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLMS1902TRPBF 製品の属性
品番 :
IRLMS1902TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.7V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.7W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro6™(TSOP-6)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6
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