ON Semiconductor - FDD13AN06A0

KEY Part #: K6417714

FDD13AN06A0 価格設定(USD) [132923個在庫]

  • 1 pcs$0.27826
  • 2,500 pcs$0.26616

品番:
FDD13AN06A0
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDD13AN06A0 electronic components. FDD13AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD13AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD13AN06A0 製品の属性

品番 : FDD13AN06A0
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.9A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1350pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 115W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません