Infineon Technologies - IRLMS2002TRPBF

KEY Part #: K6417675

IRLMS2002TRPBF 価格設定(USD) [387540個在庫]

  • 1 pcs$0.09840
  • 3,000 pcs$0.09791

品番:
IRLMS2002TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF electronic components. IRLMS2002TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLMS2002TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLMS2002TRPBF 製品の属性

品番 : IRLMS2002TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1310pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Micro6™(SOT23-6)
パッケージ/ケース : SOT-23-6

あなたも興味があるかもしれません