[4004個在庫]
- 品番:
- MVDF1N05ER2G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor MVDF1N05ER2G electronic components. MVDF1N05ER2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MVDF1N05ER2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MVDF1N05ER2G 製品の属性
品番 :
MVDF1N05ER2G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
330pF @ 25V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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