DMTH6016LPDQ-13 価格設定（USD） [148064個在庫]
- 1 pcs$0.24981
- 品番:
- DMTH6016LPDQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ-13 electronic components. DMTH6016LPDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6016LPDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6016LPDQ-13 製品の属性
品番 :
DMTH6016LPDQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
864pF @ 30V
パワー-最大 :
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
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