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ON Semiconductor - FDMD85100

KEY Part #: K6523075

FDMD85100 価格設定（USD） [59982個在庫]

  • 1 pcs$0.65513
  • 3,000 pcs$0.65187
品番:
FDMD85100
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 100V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMD85100 electronic components. FDMD85100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMD85100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMD85100 製品の属性

品番 : FDMD85100
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 100V
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 10.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 31nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2230pF @ 50V
パワー-最大 : 2.2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power 5x6

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