FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
10.4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
31nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2230pF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-Power 5x6