IPG20N10S4L35ATMA1 価格設定（USD） [198028個在庫]
- 1 pcs$0.18678
- 5,000 pcs$0.17139
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 electronic components. IPG20N10S4L35ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S4L35ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG20N10S4L35ATMA1 製品の属性
品番 :
IPG20N10S4L35ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 16µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1105pF @ 25V
パワー-最大 :
43W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8-4
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