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Microsemi Corporation - APTMC120HM17CT3AG

KEY Part #: K6522634

APTMC120HM17CT3AG 価格設定（USD） [103個在庫]

  • 1 pcs$344.37982
品番:
APTMC120HM17CT3AG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MODULE - SIC MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTMC120HM17CT3AG electronic components. APTMC120HM17CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120HM17CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC120HM17CT3AG 製品の属性

品番 : APTMC120HM17CT3AG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MODULE - SIC MOSFET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel
FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 147A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 30mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 332nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5576pF @ 1000V
パワー-最大 : 750W
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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