DMTH6016LPD-13 価格設定（USD） [185978個在庫]
- 1 pcs$0.19888
- 品番:
- DMTH6016LPD-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6016LPD-13 electronic components. DMTH6016LPD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6016LPD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6016LPD-13 製品の属性
品番 :
DMTH6016LPD-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
864pF @ 30V
パワー-最大 :
2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AUIRF7103Q
- GMM3X180-004X2-SMD
- AON7804_102
- KGF6N05D-400
- AON6978
- AOC4810
- SIZ790DT-T1-GE3
- NTMD6601NR2G
- SI7501DN-T1-E3
- EFC6617R-TF
- SI3981DV-T1-E3
- IRF7103Q
- AO4914L
- AO4803AL
- EFC4627R-A-TR
- SI5943DU-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- IRF6723M2DTRPBF
- SIB914DK-T1-GE3
- DMN5L06V-7
- AO7600
- SI7958DP-T1-E3
- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
- SP8J4TB
- NTMD6N03R2
- IRF7389TR
- BSG0811NDATMA1
- BSG0813NDIATMA1
- HUFA76407DK8T-F085
- QS8J5TR
- SP8K31TB1
- SQS966ENW-T1_GE3
- BUK7K89-100EX
- SI4214DDY-T1-E3
- BUK7K134-100EX
- QH8KA1TCR
- SI1539CDL-T1-GE3