DMTH4007SPDQ-13 価格設定（USD） [141441個在庫]
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- 2,500 pcs$0.23145
- 品番:
- DMTH4007SPDQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ-13 electronic components. DMTH4007SPDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH4007SPDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH4007SPDQ-13 製品の属性
品番 :
DMTH4007SPDQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2026pF @ 30V
パワー-最大 :
2.6W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
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