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ON Semiconductor - FDMC007N30D

KEY Part #: K6522702

FDMC007N30D 価格設定（USD） [217430個在庫]

  • 1 pcs$0.17096
  • 3,000 pcs$0.17011
品番:
FDMC007N30D
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMC007N30D electronic components. FDMC007N30D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC007N30D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC007N30D 製品の属性

品番 : FDMC007N30D
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 46A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 11.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 34nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
パワー-最大 : 1.9W, 2.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-MLP (3x3)

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