US6M11TR 価格設定（USD） [478859個在庫]
- 1 pcs$0.08539
- 3,000 pcs$0.08497
- 品番:
- US6M11TR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor US6M11TR electronic components. US6M11TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US6M11TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
US6M11TR 製品の属性
品番 :
US6M11TR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V, 12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.5A, 1.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
110pF @ 10V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
TUMT6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM85-02F
- AOC3870A
- BUK9MRR-65PKK,518
- FDS8958B_G
- NTUD3129PT5G
- AO4800L
- ECH8601M-C-TL-H
- APTM10DHM09T3G
- BSL806NL6327HTSA1
- AON7820
- AON6918
- EMH2408-TL-H
- AON7900
- SQ4946EY-T1-E3
- SI4562DY-T1-GE3
- IRF9358PBF
- FDD8426H
- APTM50DUM19G
- APTM10HM09FTG
- SI9926BDY-T1-E3
- SI4944DY-T1-E3
- SI3585DV-T1-E3
- SI1551DL-T1-E3
- FDZ2553N
- FDW2503N
- IRF7338PBF
- US5K3TR
- STS7C4F30L
- SI4539ADY-T1-E3
- SIZF906ADT-T1-GE3
- BSC0921NDIATMA1
- BUK9K30-80EX
- SH8K22TB1
- FDC3601N
- BSL205NH6327XTSA1
- BSL806NH6327XTSA1
- PMDXB600UNELZ
- SSM6N58NU,LF
- 2N7002PS,125
- 2N7002PSZ