SI3590DV-T1-GE3 価格設定（USD） [239890個在庫]
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- 品番:
- SI3590DV-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3590DV-T1-GE3 electronic components. SI3590DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3590DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3590DV-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI3590DV-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A, 1.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
77 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
830mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
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