IRF7301TRPBF 価格設定（USD） [244308個在庫]
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- 品番:
- IRF7301TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7301TRPBF electronic components. IRF7301TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7301TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7301TRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7301TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
660pF @ 15V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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