メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
30A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
20nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1500pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN3030-8 (Type K)