DMC1030UFDB-7 価格設定（USD） [511380個在庫]
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- 品番:
- DMC1030UFDB-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMC1030UFDB-7 electronic components. DMC1030UFDB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMC1030UFDB-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMC1030UFDB-7 製品の属性
品番 :
DMC1030UFDB-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 8V 24V U-DFN2020-6
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
パワー-最大 :
1.36W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type B)
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