SSM6N61NU,LF 価格設定（USD） [622023個在庫]
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- 品番:
- SSM6N61NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N61NU,LF electronic components. SSM6N61NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N61NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N61NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6N61NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
33 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
410pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFNB (2x2)
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