SQJ960EP-T1_GE3 価格設定（USD） [83362個在庫]
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- 3,000 pcs$0.39550
- 品番:
- SQJ960EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 8A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ960EP-T1_GE3 electronic components. SQJ960EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ960EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ960EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJ960EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 8A
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
735pF @ 25V
パワー-最大 :
34W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
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