NVDD5894NLT4G 価格設定（USD） [4078個在庫]
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- 品番:
- NVDD5894NLT4G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVDD5894NLT4G electronic components. NVDD5894NLT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVDD5894NLT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVDD5894NLT4G 製品の属性
品番 :
NVDD5894NLT4G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2103pF @ 25V
パワー-最大 :
3.8W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak 5-Lead
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