Microsemi Corporation - APTM50H10FT3G

KEY Part #: K6522572

APTM50H10FT3G 価格設定(USD) [1414個在庫]

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品番:
APTM50H10FT3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50H10FT3G 製品の属性

品番 : APTM50H10FT3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 37A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4367pF @ 25V
パワー-最大 : 312W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3