APTM50H10FT3G 価格設定（USD） [1414個在庫]
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- 品番:
- APTM50H10FT3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM50H10FT3G electronic components. APTM50H10FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50H10FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM50H10FT3G 製品の属性
品番 :
APTM50H10FT3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
37A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
96nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4367pF @ 25V
パワー-最大 :
312W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP3
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