Microsemi Corporation - APTM10DSKM19T3G

KEY Part #: K6522674

APTM10DSKM19T3G 価格設定（USD） [2467個在庫]

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100 pcs$17.55110

品番:: APTM10DSKM19T3G

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM10DSKM19T3G electronic components. APTM10DSKM19T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10DSKM19T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM10DSKM19T3G 製品の属性

品番 : APTM10DSKM19T3G

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 70A

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 21 mOhm @ 35A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 200nC @ 10V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5100pF @ 25V

パワー-最大 : 208W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP3

サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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