SIZ200DT-T1-GE3 価格設定（USD） [192003個在庫]
- 1 pcs$0.19264
- 品番:
- SIZ200DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH DUAL 30V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 electronic components. SIZ200DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ200DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ200DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ200DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH DUAL 30V
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
パワー-最大 :
4.3W (Ta), 33W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair® (3.3x3.3)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AUIRF7103Q
- GMM3X180-004X2-SMD
- AON7804_102
- KGF6N05D-400
- AON6978
- AOC4810
- SIZ790DT-T1-GE3
- NTMD6601NR2G
- SI7501DN-T1-E3
- EFC6617R-TF
- SI3981DV-T1-E3
- IRF7103Q
- AO4914L
- AO4803AL
- EFC4627R-A-TR
- SI5943DU-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- IRF6723M2DTRPBF
- SIB914DK-T1-GE3
- DMN5L06V-7
- AO7600
- SI7958DP-T1-E3
- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
- SP8J4TB
- NTMD6N03R2
- IRF7389TR
- BSG0811NDATMA1
- BSG0813NDIATMA1
- HUFA76407DK8T-F085
- QS8J5TR
- SP8K31TB1
- SQS966ENW-T1_GE3
- BUK7K89-100EX
- SI4214DDY-T1-E3
- BUK7K134-100EX
- QH8KA1TCR
- SI1539CDL-T1-GE3