SI7224DN-T1-E3 価格設定（USD） [3985個在庫]
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- 品番:
- SI7224DN-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7224DN-T1-E3 electronic components. SI7224DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7224DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7224DN-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI7224DN-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 15V
パワー-最大 :
17.8W, 23W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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