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Microsemi Corporation - APTC60HM70T1G

KEY Part #: K6522629

APTC60HM70T1G 価格設定（USD） [2098個在庫]

  • 1 pcs$20.63798
  • 100 pcs$20.08387
品番:
APTC60HM70T1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60HM70T1G electronic components. APTC60HM70T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60HM70T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM70T1G 製品の属性

品番 : APTC60HM70T1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 39A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.9V @ 2.7mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 259nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7000pF @ 25V
パワー-最大 : 250W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP1
サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

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