[4024個在庫]
- 品番:
- AUIRF7379Q
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7379Q electronic components. AUIRF7379Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7379Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7379Q 製品の属性
品番 :
AUIRF7379Q
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.8A, 4.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 25V
パワー-最大 :
2.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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