Advanced Linear Devices Inc. - ALD110908SAL

KEY Part #: K6521932

ALD110908SAL 価格設定（USD） [33519個在庫]

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品番:: ALD110908SAL

メーカー:: Advanced Linear Devices Inc.

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD110908SAL electronic components. ALD110908SAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD110908SAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

ALD110908SAL 製品の属性

品番 : ALD110908SAL

メーカー : Advanced Linear Devices Inc.

説明 : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

シリーズ : EPAD®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 10.6V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12mA, 3mA

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 4.8V

Vgs（th）（最大）@ Id : 820mV @ 1µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2.5pF @ 5V

パワー-最大 : 500mW

動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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