DMN63D8LDW-7 価格設定（USD） [1529376個在庫]
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- 品番:
- DMN63D8LDW-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7 electronic components. DMN63D8LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN63D8LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN63D8LDW-7 製品の属性
品番 :
DMN63D8LDW-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
220mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
870nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
22pF @ 25V
パワー-最大 :
300mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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