DMN3016LDN-13 価格設定（USD） [462518個在庫]
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- 10,000 pcs$0.07048
- 品番:
- DMN3016LDN-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3016LDN-13 electronic components. DMN3016LDN-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3016LDN-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3016LDN-13 製品の属性
品番 :
DMN3016LDN-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.2A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1415pF @ 15V
パワー-最大 :
-
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN3030-8 (Type J)
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