Advanced Linear Devices Inc. - ALD114904APAL

KEY Part #: K6521919

ALD114904APAL 価格設定（USD） [19513個在庫]

1 pcs$2.11210
50 pcs$1.32201

品番:: ALD114904APAL

メーカー:: Advanced Linear Devices Inc.

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114904APAL electronic components. ALD114904APAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114904APAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

ALD114904APAL 製品の属性

品番 : ALD114904APAL

メーカー : Advanced Linear Devices Inc.

説明 : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

シリーズ : EPAD®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET機能 : Depletion Mode

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 10.6V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12mA, 3mA

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 3.6V

Vgs（th）（最大）@ Id : 380mV @ 1µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2.5pF @ 5V

パワー-最大 : 500mW

動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PDIP

最新ニュース

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers

あなたも興味があるかもしれません

J109

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 625MW TO92.
J112

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 625MW TO92.
J113-D74Z

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 625MW TO92.
MMBF5460

ON Semiconductor

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23.
MMBFJ177

ON Semiconductor

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.
MMBFJ108

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 350MW SSOT3.

English 日本語