Vishay Siliconix - SIA519EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525369

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品番:
SIA519EDJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA519EDJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA519EDJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 10V
パワー-最大 : 7.8W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual

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