IXYS - GWM100-01X1-SMDSAM

KEY Part #: K6523006

GWM100-01X1-SMDSAM 価格設定(USD) [4075個在庫]

  • 1 pcs$12.22185

品番:
GWM100-01X1-SMDSAM
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS GWM100-01X1-SMDSAM electronic components. GWM100-01X1-SMDSAM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GWM100-01X1-SMDSAM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GWM100-01X1-SMDSAM 製品の属性

品番 : GWM100-01X1-SMDSAM
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 90nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : -
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 17-SMD, Gull Wing
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOPLUS-DIL™

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.