SI4914BDY-T1-E3 価格設定（USD） [3968個在庫]
- 2,500 pcs$0.24363
- 品番:
- SI4914BDY-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 electronic components. SI4914BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4914BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4914BDY-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI4914BDY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
シリーズ :
LITTLE FOOT®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.4A, 8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
2.7W, 3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO8804L
- NTMFD4C85NT3G
- IRF7341QTRPBF
- AOD604
- SI7964DP-T1-E3
- AO4805L_101
- ECH8654-TL-HQ
- EMH2417R-TL-H
- SIZ914DT-T1-GE3
- VQ2001P-2
- VQ1006P-2
- FDMC8200S_F106
- APTMC60TL11CT3AG
- SIA914ADJ-T1-GE3
- AON6974
- SI7925DN-T1-E3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI4830ADY-T1-GE3
- SI4544DY-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SI4511DY-T1-GE3
- BSL214NL6327HTSA1
- IRF8513TRPBF
- BSD223P L6327
- SI7842DP-T1-GE3
- NTLJD2104PTAG
- NTJD4001NT2G
- NTLJD3115PTAG
- ZXMN3A06N8TA
- ZXMN3A06DN8TC
- IRF7101PBF
- IRF5852TR
- NDS9956A
- STS9D8NH3LL
- AUIRF7103QTR
- SQJB80EP-T1_GE3
- SQJ968EP-T1_GE3
- BSC0924NDIATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- BSL214NH6327XTSA1