Infineon Technologies - BSD223PH6327XTSA1

KEY Part #: K6525515

BSD223PH6327XTSA1 価格設定(USD) [893402個在庫]

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品番:
BSD223PH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1 electronic components. BSD223PH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD223PH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSD223PH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSD223PH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 390mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1.5µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.62nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 56pF @ 15V
パワー-最大 : 250mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT363-6

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