SSM6P15FE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1060332個在庫]
- 1 pcs$0.03488
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE(TE85L,F) electronic components. SSM6P15FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6P15FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6P15FE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
SSM6P15FE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.7V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9.1pF @ 3V
パワー-最大 :
150mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6 (1.6x1.6)
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