メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
39A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.9V @ 2.7mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
259nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
7000pF @ 25V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)