APTM60A11FT1G 価格設定（USD） [2469個在庫]
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- 品番:
- APTM60A11FT1G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM60A11FT1G electronic components. APTM60A11FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60A11FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM60A11FT1G 製品の属性
品番 :
APTM60A11FT1G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
330nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10552pF @ 25V
パワー-最大 :
390W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP1
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP1
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