Infineon Technologies - IRF6714MTRPBF

KEY Part #: K6419560

IRF6714MTRPBF 価格設定(USD) [118907個在庫]

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品番:
IRF6714MTRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6714MTRPBF 製品の属性

品番 : IRF6714MTRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 29A (Ta), 166A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3890pF @ 13V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MX

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