TJ50S06M3L(T6L1,NQ 価格設定（USD） [117194個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ50S06M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ50S06M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TJ50S06M3L(T6L1,NQ 製品の属性
品番 :
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
124nC @ 10V
Vgs（最大） :
+10V, -20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6290pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK+
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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