TJ60S04M3L(T6L1,NQ 価格設定（USD） [117194個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ60S04M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ60S04M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TJ60S04M3L(T6L1,NQ 製品の属性
品番 :
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3
シリーズ :
U-MOSVI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
125nC @ 10V
Vgs（最大） :
+10V, -20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6510pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK+
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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