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ON Semiconductor - FDP060AN08A0

KEY Part #: K6397548

FDP060AN08A0 価格設定（USD） [29315個在庫]

  • 1 pcs$1.40583
  • 800 pcs$0.53904
品番:
FDP060AN08A0
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDP060AN08A0 electronic components. FDP060AN08A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP060AN08A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP060AN08A0 製品の属性

品番 : FDP060AN08A0
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 16A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5150pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 255W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3

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