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ON Semiconductor - FDD86250

KEY Part #: K6397528

FDD86250 価格設定（USD） [110485個在庫]

  • 1 pcs$0.33477
  • 2,500 pcs$0.29366
品番:
FDD86250
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDD86250 electronic components. FDD86250 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86250, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86250 製品の属性

品番 : FDD86250
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 22 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2110pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.1W (Ta), 132W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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