FCD260N65S3 価格設定（USD） [117363個在庫]
- 1 pcs$0.31515
- 品番:
- FCD260N65S3
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCD260N65S3 electronic components. FCD260N65S3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD260N65S3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD260N65S3 製品の属性
品番 :
FCD260N65S3
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 260MOHM TO252
シリーズ :
SuperFET® III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
260 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1010pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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