Infineon Technologies - IPZ40N04S55R4ATMA1

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IPZ40N04S55R4ATMA1 価格設定(USD) [252466個在庫]

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品番:
IPZ40N04S55R4ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ40N04S55R4ATMA1 製品の属性

品番 : IPZ40N04S55R4ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 8TDSON
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 7V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.4V @ 17µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 48W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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