Infineon Technologies - AUIRF1018E

KEY Part #: K6418700

AUIRF1018E 価格設定(USD) [73688個在庫]

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品番:
AUIRF1018E
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRF1018E 製品の属性

品番 : AUIRF1018E
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 79A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2290pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 110W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3