Infineon Technologies - SISC185N06LX1SA1

KEY Part #: K6421475

SISC185N06LX1SA1 価格設定(USD) [600728個在庫]

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品番:
SISC185N06LX1SA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISC185N06LX1SA1 製品の属性

品番 : SISC185N06LX1SA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : TRANSISTOR P-CH BARE DIE
シリーズ : *
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : -
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

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