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ON Semiconductor - FQD7P06TM

KEY Part #: K6409644

FQD7P06TM 価格設定（USD） [306526個在庫]

  • 1 pcs$0.12067
  • 2,500 pcs$0.10409
品番:
FQD7P06TM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQD7P06TM electronic components. FQD7P06TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD7P06TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD7P06TM 製品の属性

品番 : FQD7P06TM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 5.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 451 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs（最大） : ±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 295pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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