FDD5353 価格設定（USD） [129401個在庫]
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- 品番:
- FDD5353
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD5353 electronic components. FDD5353 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5353, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD5353 製品の属性
品番 :
FDD5353
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.5A (Ta), 50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.3 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3215pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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