TK3P50D,RQ(S 価格設定（USD） [197635個在庫]
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- 品番:
- TK3P50D,RQ(S
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK3P50D,RQ(S electronic components. TK3P50D,RQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3P50D,RQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK3P50D,RQ(S 製品の属性
品番 :
TK3P50D,RQ(S
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
280pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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