[13921個在庫]
- 品番:
- ZXMN6A08E6TC
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TC electronic components. ZXMN6A08E6TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A08E6TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A08E6TC 製品の属性
品番 :
ZXMN6A08E6TC
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
459pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-26
パッケージ/ケース :
SOT-23-6
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