[29個在庫]
- 品番:
- 2SK2963(TE12L,F)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2963(TE12L,F) electronic components. 2SK2963(TE12L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK2963(TE12L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK2963(TE12L,F) 製品の属性
品番 :
2SK2963(TE12L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
700 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PW-MINI
パッケージ/ケース :
TO-243AA
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